深圳市浩畅半导体有限公司

MOSFET/场效应管 AO3402

产品型号：AO3402

产品封装：SOT-23

产品品牌：浩畅

是否环保：无铅环保

包装：3000PCS

AO3402  N沟道增强型功率MOSFET

该AO3402采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于电池保护或其它开关中的应用。
总体特征
●VDS = 30V，id = 3A
RDS（ON）< 75mΩ@ VGS = 2.5V
RDS（ON）< 65mΩ@ VGS = 4.5V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关

●电源管理

N沟道MOS管的结构及工作原理

N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理

结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。