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深圳黄金树科技有限公司
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产品信息
深圳黄金树科技有限公司代理国内MOSFET，IC 集成电路，桥堆 二三极管 可控硅等电子产品， 产品主要应用于UPS、EPS、逆变电源、工业控制板、变频电源、开关电源、电力操作电源、小家电，新能源，汽车电子等高科技行业，并致力于推广供应环保无铅的绿色产品。 我们本着“诚信经营，互惠互赢”的理念贯穿供应，销售，服务的始终。我们始终将“创新，进取，诚信合作，原装现货，客户至上，服务全面”作为商务合作发展的基石，愿我们持续，共同发展！深圳黄金树科技有限公司是国内外的电子元器件混合分销商，成立于深圳龙华区，主要产品有SPM、IGBT、MOSFET、FRD(快恢复）、可控硅、光耦、IC、MCU等。代理品牌有：无锡新洁能（NCE)，江苏捷捷微（JIEJIE),福斯特（FIRST),台湾博盛（POTENS)，优势现货品牌有UTC友顺，安森美(ON)，英飞凌(Infineon) ,NXP,ADI,RICHTEK,TI等。联系：13510537787何小姐 何先生：13534093270 微信同步
200V N-Channel MOSFET
General Features
Proprietary New Planar Technology
RDS(ON),typ.=50m Ω@VGS=10V
Low Gate Charge Minimize Switching Loss
Fast Recovery Body Diode
Applications
DC-DC Converters
DC-AC Inverters for UPS
SMPS and Motor controls
Ordering Information
Part Number
Package
Brand
PTP40N20
TO-220
Absolute Maximum Ratings
TC=25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
PTP40N20
Unit
VDSS
Drain-to-Source Voltage[1]
200
V
VGSS
Gate-to-Source Voltage
±20
ID
Continuous Drain Current
40
A
ID @ Tc =100℃
Continuous Drain Current @ Tc=100℃
Figure 3
IDM
Pulsed Drain Current at VGS=10V[2]
Figure 6
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
1200
mJ
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt[3]
5.0
V/ns
PD
Power Dissipation
125
W
Derating Factor above 25℃
1.0
W/℃
TL
TPAK
Maximum Temperature for Soldering
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10
seconds, Package Body for 10 seconds
300
260
℃
TJ& TSTG
Operating and Storage Temperature Range
-55 to 150
Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
PTP40N20
Unit
RθJC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1.0
℃/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62
BVDSS
RDS(ON),typ.
ID
200V
50mΩ
40A
GD
S
TO-220
Packag
