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NCE3035Q  DFN3*3 电源MOSFET
NCE3035Q  DFN3*3 电源MOSFET
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NCE3035Q DFN3*3 电源MOSFET

型号/规格:

NCE3035Q

品牌/商标:

NCE

封装形式:

DFN3*3

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

VDS:

30V

VGS:

±20V

ID:

35A

IDM:

120A

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产品信息

深圳黄金树科技有限公司代理国内MOSFET,IC 集成电路,桥堆 二三极管 可控硅等电子产品, 产品主要应用于UPS、EPS、逆变电源、工业控制板、变频电源、开关电源、电力操作电源、小家电,新能源,汽车电子等高科技行业,并致力于推广供应环保无铅的绿色产品。 我们本着“诚信经营,互惠互赢”的理念贯穿供应,销售,服务的始终。我们始终将“创新,进取,诚信合作,原装现货,客户至上,服务全面”作为商务合作发展的基石,愿我们持续,共同发展!深圳黄金树科技有限公司是国内外的电子元器件混合分销商,成立于深圳龙华区,主要产品有SPM、IGBT、MOSFET、FRD(快恢复)、可控硅、光耦、IC、MCU等。代理品牌有:无锡新洁能(NCE),江苏捷捷微(JIEJIE),福斯特(FIRST),台湾博盛(POTENS),优势现货品牌有UTC友顺,安森美(ON),英飞凌(Infineon) ,NXP,ADI,RICHTEK,TI等。联系电话:13510537787何小姐  何先生13534093270 微信同步

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE3035Q uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
VDS =30V,ID =35A
RDS(ON) < 7.0m @ VGS=10V
RDS(ON) < 11m @ VGS=4.5V
High density cell design for ultra low Rdson
Fully characterized avalanche voltage and current
Good stability and uniformity with high EAS
Excellent package for good heat dissipation
Special process technology for high ESD capability
Application
Secondary side synchronous rectifier
High side switch in POL DC/DC converter
100% UIS TESTED!
Schematic diagram