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营业执照:已审核
经营模式:贸易/代理/分销
所在地区:广东 深圳
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会员年限:7年
马先生
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ST/意法
STF14NM50N
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
否
6
17+
TO-220F
STF14NM50N TO-220F 参数:
产品属性 属性值 搜索类似 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220FP-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 12 A Rds On-漏源导通电阻: 320 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 27 nC 工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 25 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: MDmesh 封装: Tube 系列: STF14NM50N 晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET 商标: STMicroelectronics 下降时间: 22 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 16 ns 工厂包装数量: 1000 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 42 ns 典型接通延迟时间: 12 ns 单位重量: 330 mg