深圳市誉辉天成电子有限公司

　　产品型号：NCE2030K

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：30A

　　漏源电压（Vdss）：20V

　　栅源极阈值电压：1.2V@250uA

　　漏源导通电阻：13mΩ@20A,4.5V

　　类型：N沟道

　　最大功率耗散（Ta）：40W

　　一般特征：

　　VDS=20v,ID=30a

　　RDS(ON)<13mΩ@vg=10v(Typ：10.5m?)

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS高

　　优异的散热包装

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　应用程序：

　　电源开关应用

　　负荷开关

　　不间断电源

　　绝对最大额定值(TA=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：20V

　　栅源电压：±12V

　　漏极电流连续：30

　　漏极电流连续(TC=100℃)：21

　　脉冲漏极电流：75

　　最大功耗：40W

　　单脉冲雪崩能量(注5)：150mJ

　　操作结和存储温度范围：-55-175℃

　　电气特性(TA=25℃，除非另有说明)：