- 非IC关键词
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：普通会员
- 何小姐
- 电话：0755-33160613
- 手机：13510537787
- 地址：深圳市龙华新区清祥路清湖科技园B栋627-628室
- 传真：0755-28283040
- E-mail：sale01@goldtreeic.com
产品分类
您的当前位置：深圳黄金树科技有限公司 > 元器件产品
询价产品信息
深圳黄金树科技有限公司代理国内MOSFET，IC 集成电路，桥堆 二三极管 可控硅等电子产品， 产品主要应用于UPS、EPS、逆变电源、工业控制板、变频电源、开关电源、电力操作电源、小家电，新能源，汽车电子等高科技行业，并致力于推广供应环保无铅的绿色产品。 我们本着“诚信经营，互惠互赢”的理念贯穿供应，销售，服务的始终。我们始终将“创新，进取，诚信合作，原装现货，客户至上，服务全面”作为商务合作发展的基石，愿我们持续，共同发展！深圳黄金树科技有限公司是国内外的电子元器件混合分销商，成立于深圳龙华区，主要产品有SPM、IGBT、MOSFET、FRD(快恢复）、可控硅、光耦、IC、MCU等。代理品牌有：无锡新洁能（NCE)，江苏捷捷微（JIEJIE),福斯特（FIRST),台湾博盛（POTENS)，优势现货品牌有UTC友顺，安森美(ON)，英飞凌(Infineon) ,NXP,ADI,RICHTEK,TI等。联系电话：13510537787何小姐 何先生：13534093270 微信同步
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE3050K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =30V,ID =50A
RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=10V (Typ:8mΩ)
RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V (Typ:10mΩ)
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized Avalanche voltage and current
● Good stability and uniformity with high EAS
● Excellent package for good heat dissipation
● Special process technology for high ESD capability
Application
● Power switching application
● Hard switched and high frequency circuit
evice Marking
Device
Device Package
Reel Size
Tape width
Quantity
NCE3050K NCE3050K TO-252-2L - - -
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage
VDS
30 V
Gate-Source Voltage
VGS
±20 V
Drain Current-Continuous
ID
50 A
Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) 35.4 A
Pulsed Drain Current
IDM
200 A
