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询价产品信息
深圳黄金树科技有限公司代理国内MOSFET，IC 集成电路，桥堆 二三极管 可控硅等电子产品， 产品主要应用于UPS、EPS、逆变电源、工业控制板、变频电源、开关电源、电力操作电源、小家电，新能源，汽车电子等高科技行业，并致力于推广供应环保无铅的绿色产品。 我们本着“诚信经营，互惠互赢”的理念贯穿供应，销售，服务的始终。我们始终将“创新，进取，诚信合作，品质优先，客户至上，服务全面”作为商务合作发展的基石，愿我们持续，共同发展！深圳黄金树科技有限公司是国内外的电子元器件混合分销商，成立于深圳龙华区，主要产品有SPM、IGBT、MOSFET、FRD(快恢复）、可控硅、光耦、IC、MCU等。代理品牌有：无锡新洁能（NCE)，江苏捷捷微（JJM),福斯特（FIRST),台湾博盛（POTENS)，优势现货品牌有UTC友顺，安森美(ON)，英飞凌(Infineon) ,NXP,ADI,RICHTEK,TI等。
新洁能NCE01P13K 原装现货，欢迎来电咨询合作
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE01P13K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can
be used in a wide variety of applications. It is ESD protested.
General Features
● VDS =-100V,ID =-13A
RDS(ON) <200mΩ @ VGS=-10V (Typ:170mΩ)
● Super high dense cell design
● Advanced trench process technology
● Reliable and rugged
● High density celldesign for ultra low on-resistance
Application
● Power switch
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Device Package
Reel Size
Tape width
Quantity
NCE01P13K NCE01P13K TO-252-2L -
- -
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage
VDS
-100 V
Gate-Source Voltage
VGS
±20 V
Drain Current-Continuous
ID
-13 A
Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) -9.2 A
Pulsed Drain Current
IDM
-52 A
Maximum Power Dissipation
PD
40 W
Derating factor
0.27 W/℃
Single pulse avalanche energy (Note 5) EAS 110 mJ